中图分类号：TN305 文献标志码：A
PECVD具有沉积温度低、沉积速率高、薄膜均匀性和致密性好的优点，因此广泛应用于氮化硅（ SiNx ）、氧化硅（ SiO2 ）等多材料介质薄膜的制备。全新的PECVD设备在进行工艺前，为了（试读）...
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