中图分类号：TN305
文献标志码：A
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术借射频电源激发工艺气体产生等离子体，在晶圆表面沉积氮化硅、二氧化硅等薄膜。该工艺环境极端严苛：等离子体温度可达 200∘C 以上，含氟/氯（试读）...
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